Область применения: | Настоящий стандарт распространяется на установки для ионной имплантации, предназначенные для внедрения ионов твердых, газообразных и жидких веществ массой от 1,666 57*10 в степени минус 27 до 217,534 67*10 в степени минус 27 кг (от 1 до 131 а. е. м.), в том числе элементарных и многозарядных ионов бора, фосфора, цинка, мышьяка, селена и сурьмы с эквивалентной энергией ионов от 1,6*10 в степени минус 15 до 1,6*10 в степени минус 13 Дж (от 10 до 1200 кэВ) при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники |