ГОСТ 20859.1-89


(в архиве можно скачать текст в форматах doc,rar,zip,html)


Название (рус.):Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Название (англ.):Power semiconductor devices. General technical requirements
Область применения:Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Изменён стандартами:ГОСТ 30617-98 в части модулей
Заменяет стандарты:ГОСТ 20859.1-79
Дата введения:01.01.1990
Код КГС:Е65
Код ОКСТУ:3417
Код ОКС(МКС):31.080,29.200
Код ОКП:341700
Нормативные ссылки:IEC 60747-1(1983),IEC 60747-2(1983),IEC 60747-6(1983),IEC 60147-IJ(1981)ГОСТ 2.601-68,ГОСТ 20.57.406-81,ГОСТ 8032-84,ГОСТ 15133-77,ГОСТ 15150-69,ГОСТ 15543-70,ГОСТ 17516-72,ГОСТ 18242-72,ГОСТ 20003-74,ГОСТ 20332-84,ГОСТ 23216-78,ГОСТ 23900-87,ГОСТ 24461-80,ГОСТ 24566-86,ГОСТ 25529-82,ГОСТ 27264-87,ГОСТ 27591-88
Страна разработчик:Российская Федерация

Загрузить ГОСТ 20859.1-89 (636 Кб) Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования


Хостинг от uCoz